SemiQ
GCMX003A120S3B1-N
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half Bidge Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 625 A，采用 S3 封装。
基本资料
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- SemiQ
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- GCMX
- 封装
- S3
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 散装
技术参数
22 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 625 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 5.5 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 5 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 2.113 kW
- 组装国家或地区
- 美国
- 原产国家或地区
- 美国
展开更多参数（10 项）
- 下降时间
- 28 ns
- 高度
- 30 mm
- 长度
- 106.4 mm
- 产品
- Modules
- 上升时间
- 21 n
- 类型
- Half Bidge Module
- 典型关断延迟时间
- 138 ns
- 典型导通延迟时间
- 79 ns
- 正向电压（Vf）
- 4 V
- 宽度
- 61.4 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。