Optek / TT Electronics
HCT7000MTX
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 200 mA。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- TT Electronics
- 品牌
- Optek / TT Electronics
- 产品类别
- MOSFET
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- E
技术参数
14 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 60 V
- 连续漏极电流（Id）
- 200 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 5 Ω
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 800 mV
- 栅源电压（Vgs）
- 40 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（2 项）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 正向跨导（最小值）
- 0.1 S
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。