STMicroelectronics
STB18NM80
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 17 A、漏源导通电阻（Rds On） 295 mOhms、栅极电荷（Qg） 70 nC，采用 TO-263-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- STB18NM80
- 封装
- TO-263-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 800 V
- 连续漏极电流（Id）
- 17 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 295 mOhms
- 栅极电荷（Qg）
- 70 nC
- 耗散功率（Pd）
- 190 W
- 商品名称
- MDmesh
- 单件重量
- 0.139332 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。