ON Semiconductor
NSVEMX1DXV6T1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、连续集电极电流 100 mA、最小直流电流增益（hfe） 120、耗散功率（Pd） 357 mW，采用 SOT-563-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- EMX1
- 封装
- SOT-563-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
8 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 连续集电极电流
- 100 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 120
- 耗散功率（Pd）
- 357 mW
- 认证等级
- AEC-Q101
- 单件重量
- 0.000106 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。