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NVXR22S90M2SPB
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 EliteSiC Power Module、漏源击穿电压（Vds） 900 V、连续漏极电流（Id） 510 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.7 mOhms、栅源电压（Vgs） - 8 V, + 22 V，采用 SSDC-39 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- NVXR22S90M2SPB
- 封装
- SSDC-39
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 托盘
技术参数
16 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 漏源击穿电压（Vds）
- 900 V
- 连续漏极电流（Id）
- 510 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 2.7 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, + 22 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.7 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 900 W
- 配置
- Module
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 48 ns
- 上升时间
- 94 ns
展开更多参数（4 项）
- 商品名称
- EliteSiC
- 类型
- EliteSiC Power Module
- 典型关断延迟时间
- 295 ns
- 典型导通延迟时间
- 106 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。