Infineon Technologies
F3L420R12W4H7H11BPSA1
主要参数包括技术 Si、产品 Modules、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.65 V、栅射漏电流 100 nA、耗散功率（Pd） 20 mW。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- IGBT Modules
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
11 项参数- 产品
- Modules
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.65 V
- 栅射漏电流
- 100 nA
- 耗散功率（Pd）
- 20 mW
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 组装国家或地区
- 德国
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- AT
- 技术
- Si
- 型号别名
- F3L420R12W4H7_H11 SP006031911
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。