Vishay / Siliconix
SI4425FDY-T1-GE3
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 30 V、连续漏极电流（Id） - 18.3 A、漏源导通电阻（Rds On） 7.7 mOhms，采用 SO-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- SO-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- E
技术参数
17 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- - 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- - 18.3 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 7.7 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- - 2.2 V
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, + 16 V
- 栅极电荷（Qg）
- 27 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（5 项）
- 商品名称
- TrenchFET
- 下降时间
- 23 ns
- 上升时间
- 48 ns
- 典型关断延迟时间
- 29 ns
- 典型导通延迟时间
- 22 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。