WeEn Semiconductors
BUJ303AD,118
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 DPAK-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- WeEn Semiconductors
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- DPAK-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 500 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.25 V
- 最大直流集电极电流
- 5 A
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 35
- 最小直流电流增益（hfe）
- 10
- 耗散功率（Pd）
- 80 W
- 型号别名
- 934065688118
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。