IXYS
IXTN120P20T
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 106 A、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms、单件重量 1.058219 oz，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
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- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXTN120P20
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
6 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 200 V
- 连续漏极电流（Id）
- 106 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 30 mOhms
- 单件重量
- 1.058219 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。