Nexperia
PMCPB5530X,115
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 5.3 A，采用 DFN-2020-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Nexperia
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- DFN-2020-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 5.3 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 70 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 650 mV
- 栅极电荷（Qg）
- 14.4 nC, 8.1 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 8.33 W
- 配置
- Dual
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（6 项）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel, 1 P-Channel
- 下降时间
- 16 ns
- 上升时间
- 15 ns
- 典型关断延迟时间
- 40 ns
- 典型导通延迟时间
- 4 ns
- 单件重量
- 0.000254 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。