ON Semiconductor
TIP112G
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-220-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- TIP110
- 封装
- TO-220-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 配置
- Single
- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 100 V
- 最大直流集电极电流
- 2 A
- 最大集电极截止电流
- 1000 uA
- 耗散功率（Pd）
- 2 W
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 高度
- 15.75 mm
- 长度
- 10.53 mm
- 宽度
- 4.83 mm
展开更多参数（3 项）
- 连续集电极电流
- 2 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 1000
- 单件重量
- 0.211644 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。