STMicroelectronics
SCT1000N170
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 HiP-247-3 封装。
基本资料
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- STMicroelectronics
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 产品系列
- SCT1000N170
- 封装
- HiP-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
16 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.7 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 6 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1 Ω
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 25 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.1 V
- 栅极电荷（Qg）
- 14 nC
- 工作温度范围
- -55～200 °C
- 耗散功率（Pd）
- 120 W
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Single
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- 组装国家或地区
- IT
- 原产国家或地区
- IT
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。