Wolfspeed / Cree
C3M0280090J-TR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Silicon Carbide MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 900 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 TO-263-7 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Cree, Inc.
- 品牌
- Wolfspeed / Cree
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- TO-263-7
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
22 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 900 V
- 连续漏极电流（Id）
- 11 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 385 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.8 V
- 栅源电压（Vgs）
- 18 V, - 8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 9.5 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 50 W
- 配置
- Single
展开更多参数（10 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 产品
- Power MOSFET
- 类型
- Silicon Carbide MOSFET
- 正向跨导（最小值）
- 3.1 S
- 下降时间
- 4 ns
- 湿敏性
- 是
- 上升时间
- 6.5 ns
- 典型关断延迟时间
- 11 ns
- 典型导通延迟时间
- 10.5 ns
- 单件重量
- 0.056438 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。