Vishay Semiconductors
SI6562CDQ-T1-BE3
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 6.1 A, 6.7 A，采用 TSSOP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- MOSFETs
- 封装
- TSSOP-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 散装
技术参数
19 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel, P-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 20 V
- 连续漏极电流（Id）
- 6.1 A, 6.7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 2 Ohms, 6 Ohms
- 栅源电压（Vgs）
- - 12 V, 12 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 600 mV
- 栅极电荷（Qg）
- 15 nC, 34 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.6 W, 1.7 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（7 项）
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 下降时间
- 10 ns, 15 ns
- 正向跨导（最小值）
- 17 S, 22 S
- 上升时间
- 10 ns, 25 ns
- 晶体管类型
- 1 N-Channel, 1 P-Channel
- 典型关断延迟时间
- 20 ns, 45 ns
- 典型导通延迟时间
- 12 ns, 30 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。