Microchip Technology
TN0606N3-G
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 FET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 1 W
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
23 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 60 V
- 连续漏极电流（Id）
- 500 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.5 Ω
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 600 mV
- 栅源电压（Vgs）
- 10 V
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
- 配置
- Single
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（11 项）
- 高度
- 5.33 mm
- 长度
- 5.21 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 类型
- FET
- 宽度
- 4.19 mm
- 正向跨导（最小值）
- 400 mS
- 下降时间
- 16 ns
- 上升时间
- 14 ns
- 典型关断延迟时间
- 16 ns
- 典型导通延迟时间
- 6 ns
- 单件重量
- 0.016000 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。