ROHM Semiconductor
RGW50TS65DGC11
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.9 V、最大栅射电压 - 30 V, 30 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 TO-247N-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBTs
- 封装
- TO-247N-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
12 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 650 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.9 V
- 最大栅射电压
- - 30 V, 30 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 50 A
- 耗散功率（Pd）
- 156 W
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 最大连续集电极电流（Ic）
- 25 A
- 原产国家或地区
- TH
- 栅射漏电流
- 200 nA
- 型号别名
- RGW50TS65D
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。