Vishay Semiconductors
SISS65DN-T1-GE3
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 94 A、漏源导通电阻（Rds On） 4.6 mOhms，采用 PowerPAK-1212-8S-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay Semiconductors
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- SISS
- 封装
- PowerPAK-1212-8S-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
21 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 94 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 4.6 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.3 V
- 栅极电荷（Qg）
- 138 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 65.8 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（9 项）
- 商品名称
- TrenchFET, PowerPAK
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 18 ns
- 正向跨导（最小值）
- 62 S
- 上升时间
- 25 ns
- 典型关断延迟时间
- 45 ns
- 典型导通延迟时间
- 20 ns
- 单件重量
- 0.017231 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。