onsemi
UF3C065040K4S
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 54 A、漏源导通电阻（Rds On） 52 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- onsemi
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 产品系列
- UF3C
- 封装
- TO-247-4
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
17 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 650 V
- 连续漏极电流（Id）
- 54 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 52 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 25 V, + 25 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅极电荷（Qg）
- 43 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 326 W
- 通道模式
- Enhancement
- 认证等级
- AEC-Q101
展开更多参数（5 项）
- 商品名称
- SiC FET
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 单件重量
- 0.211644 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。