Infineon Technologies
IGD70R200D2SAUMA1
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 CoolGaN Transistor、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 产品系列
- CoolGaN G5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
25 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 700 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 240 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.6 V
- 栅极电荷（Qg）
- 1.3 nC
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 21 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- CoolGaN
- 配置
- Single
展开更多参数（13 项）
- 组装国家或地区
- 中国
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- AT
- 下降时间
- 28 ns
- 湿敏性
- 是
- 产品
- 晶体管
- 上升时间
- 6 ns
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 类型
- CoolGaN Transistor
- 典型关断延迟时间
- 9 ns
- 典型导通延迟时间
- 7 ns
- 型号别名
- IGD70R200D2S SP006085337
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。