ON Semiconductor
EFC4C012NLTDG
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 19 A，采用 WLCSP-6 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- WLCSP-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 19 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 5 mOhms, 5 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 1.3 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 18 nC, 18 nC
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 2.5 W
- 配置
- Dual
展开更多参数（6 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 2 N-Channel
- 下降时间
- 5.7 us, 5.7 us
- 上升时间
- 2 us, 2 us
- 典型关断延迟时间
- 26 us, 26 us
- 典型导通延迟时间
- 2.7 us, 2.7 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。