Toshiba
SSM14N956L,EFF
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源导通电阻（Rds On） 1.35 mOhms、栅源电压（Vgs） - 8 V, 8 V。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- MOSFETs
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 1.35 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, 8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 76 nC
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 1.33 W
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- 日本
- 下降时间
- 2.1 us
展开更多参数（4 项）
- 上升时间
- 1.3 us
- 晶体管类型
- 2 N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 3.8 us
- 典型导通延迟时间
- 1 us
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。