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NXH008P120M3F1PTG
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 145 A，采用 PIM-18 封装。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- NXH008P120M3F1PTG
- 封装
- PIM-18
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 托盘
技术参数
22 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 145 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 10.9 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 22 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.4 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 382 W
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 中国
展开更多参数（10 项）
- 下降时间
- 12 ns
- 高度
- 12 mm
- 长度
- 48 mm
- 上升时间
- 17 ns
- 商品名称
- EliteSiC
- 类型
- Half Bridge
- 典型延迟时间
- 17 ns
- 典型关断延迟时间
- 97 ns
- 典型导通延迟时间
- 17 ns
- 宽度
- 33.8 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。