Infineon Technologies
FP75R12N2T7PB11BPSA1
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 3-Phase Inverter、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.55 V、25°C 时连续集电极电流 75 A。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- IGBT Modules
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 托盘
技术参数
11 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- 3-Phase Inverter
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.55 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 75 A
- 栅射漏电流
- 100 nA
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 原产国家或地区
- HU
- 最大栅射电压
- 20 V
- 技术
- Si
- 型号别名
- FP75R12N2T7P_B11 SP005595812
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。