Advanced Linear Devices
ALD110900APAL
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 10 V，采用 PDIP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Advanced Linear Devices
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- ALD110900A
- 封装
- PDIP-8
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 10 V
- 连续漏极电流（Id）
- 12 mA
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 500 Ohms, 500 Ohms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 10 mV
- 栅源电压（Vgs）
- 10.6 V
- 工作温度范围
- 0～70 °C
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW
- 配置
- Dual
- 通道模式
- Depletion
展开更多参数（6 项）
- 产品
- MOSFET Small Signal
- 晶体管类型
- 2 N-Channel
- 类型
- MOSFET
- 典型关断延迟时间
- 10 ns
- 典型导通延迟时间
- 10 ns
- 单件重量
- 0.032805 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。