ROHM Semiconductor
QS8J4TR
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 TSMT-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- QS8J4
- 封装
- TSMT-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
19 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 2 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 4 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 40 mOhms, 40 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 13 nC, 13 nC
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 配置
- Dual
展开更多参数（7 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 2 P-Channel
- 下降时间
- 50 ns, 50 ns
- 上升时间
- 20 ns, 20 ns
- 典型关断延迟时间
- 80 ns, 80 ns
- 典型导通延迟时间
- 8 ns, 8 ns
- 型号别名
- QS8J4
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。