IXYS
IXFY4N60P3
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 4 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.2 Ω、商品名称 HiPerFET，采用 TO-252-3 封装。
基本资料
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- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXFY4N60
- 封装
- TO-252-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
技术参数
7 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 4 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 2.2 Ω
- 商品名称
- HiPerFET
- 单件重量
- 0.081130 oz
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