IXYS
IXTH120P065T
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、连续漏极电流（Id） 120 A，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXTH120P065
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 65 V
- 连续漏极电流（Id）
- 120 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 10 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 15 V
- 栅极电荷（Qg）
- 58 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 298 W
- 配置
- Single
- 晶体管类型
- 1 P-Channel
展开更多参数（4 项）
- 正向跨导（最小值）
- 75 S
- 下降时间
- 21 ns
- 上升时间
- 28 ns
- 单件重量
- 0.229281 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。