Toshiba
TK6R8A08QM,S4X
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 80 V、连续漏极电流（Id） 58 A，采用 TO-220SIS-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- UMOS X-H
- 封装
- TO-220SIS-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
19 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 80 V
- 连续漏极电流（Id）
- 58 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 6.8 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 39 nC
- 最大工作温度
- + 175 C
- 耗散功率（Pd）
- 41 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（7 项）
- 原产国家或地区
- 中国
- 下降时间
- 46 ns
- 上升时间
- 39 ns
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 82 ns
- 典型导通延迟时间
- 54 ns
- 型号别名
- TK6R8A08QM,S4X(S
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。