ChipSourceHub 美芯科技

STMicroelectronics

STGP6NC60HD

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.9 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 15 A,采用 TO-220-3 封装。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管
产品系列
STGP6NC60HD
封装
TO-220-3
安装方式
通孔安装
包装方式
管装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
技术
Si
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
600 V
集电极-发射极饱和电压
1.9 V
最大栅射电压
20 V
25°C 时连续集电极电流
15 A
耗散功率(Pd)
56 W
工作温度范围
-55~150 °C
最大连续集电极电流(Ic)
15 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
展开更多参数(3 项)
连续集电极电流
7 A
栅射漏电流
100 nA
单件重量
0.211644 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

STGP6NC60HD 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技