Infineon Technologies
IKB03N120H2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、最大栅射电压 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-263-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- IKB03N120
- 封装
- TO-263-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1200 V
- 最大栅射电压
- 20 V
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 最大连续集电极电流（Ic）
- 9.6 A
- 高度
- 4.4 mm
- 长度
- 10.25 mm
- 宽度
- 9.9 mm
- 型号别名
- IKB03N120H2ATMA1 IKB3N12H2XT SP000014272
- 单件重量
- 0.068654 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。