ROHM Semiconductor
RCD100N19TL
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 190 V、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 TO-252-3 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- RCD100N19
- 封装
- TO-252-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 190 V
- 连续漏极电流（Id）
- 10 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 130 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 500 mV
- 栅源电压（Vgs）
- 20 V
- 栅极电荷（Qg）
- 52 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 85 W
- 配置
- Single
展开更多参数（8 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 下降时间
- 75 ns
- 上升时间
- 20 ns
- 典型关断延迟时间
- 140 ns
- 典型导通延迟时间
- 15 ns
- 型号别名
- RCD100N19
- 单件重量
- 0.011993 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。