ROHM Semiconductor
QH8KE6TCR
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 TSMT-8 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFETs
- 封装
- TSMT-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
21 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 4 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 56 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 20 V, 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 6.7 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 1.5 W
- 通道模式
- Enhancement
展开更多参数（9 项）
- 配置
- Dual
- 原产国家或地区
- TH
- 下降时间
- 9 ns
- 正向跨导（最小值）
- 3.4 S
- 湿敏性
- 是
- 上升时间
- 8 ns
- 晶体管类型
- 2 N-Channel
- 典型关断延迟时间
- 20 ns
- 典型导通延迟时间
- 7.5 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。