ON Semiconductor / Fairchild
FCH35N60
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 35 A，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- ON Semiconductor
- 品牌
- ON Semiconductor / Fairchild
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- FCH35N60
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
22 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 35 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 79 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5 V
- 栅源电压（Vgs）
- 30 V
- 栅极电荷（Qg）
- 139 nC
- 耗散功率（Pd）
- 312.5 W
- 配置
- Single
- 商品名称
- SuperFET
展开更多参数（10 项）
- 高度
- 20.82 mm
- 长度
- 15.87 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 宽度
- 4.82 mm
- 正向跨导（最小值）
- 28.8 S
- 下降时间
- 73 ns
- 上升时间
- 120 ns
- 典型关断延迟时间
- 105 ns
- 典型导通延迟时间
- 34 ns
- 单件重量
- 0.225401 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。