Microchip Technology
APT50GH120BSC20
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 119 A、耗散功率（Pd） 492 W，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- IGBTs
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
技术参数
8 项参数- 技术
- Si
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 最大栅射电压
- - 20 V, 20 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 119 A
- 耗散功率（Pd）
- 492 W
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 栅射漏电流
- 100 nA
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。