Infineon Technologies
GS-065-011-6-L-MR
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 1 MHz、最小工作频率 0 Hz、技术 GaN-on-Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V，采用 PDFN-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 封装
- PDFN-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
22 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 700 V
- 连续漏极电流（Id）
- 12.2 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 180 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 10 V, + 7 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.6 V
- 栅极电荷（Qg）
- 2.2 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Single
- 组装国家或地区
- TH
展开更多参数（10 项）
- 晶圆制造国家或地区
- 中国台湾
- 原产国家或地区
- 中国台湾
- 下降时间
- 9 ns
- 最大工作频率
- 1 MHz
- 最小工作频率
- 0 Hz
- 湿敏性
- 是
- 上升时间
- 4 ns
- 技术
- GaN-on-Si
- 典型关断延迟时间
- 8 ns
- 典型导通延迟时间
- 5 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。