Infineon Technologies
IGB110S101XTMA1
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 CoolGaN Transistor、晶体管极性 HEMT、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 PG-VSON-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 产品系列
- 100V G3
- 封装
- PG-VSON-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
20 项参数- 晶体管极性
- HEMT
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 23 A
- 栅源电压（Vgs）
- - 4 V, + 5.5 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.9 V
- 栅极电荷（Qg）
- 3.4 nC
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 15 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- CoolGaN
- 配置
- Single
展开更多参数（8 项）
- 组装国家或地区
- 马来西亚
- 晶圆制造国家或地区
- AT
- 原产国家或地区
- 马来西亚
- 产品
- 晶体管
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 类型
- CoolGaN Transistor
- 型号别名
- IGB110S101 SP005751574
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。