Toshiba
TK4A60DB(STA4,Q,M)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 3.7 A，采用 TO-220FP-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- TK4A60DB
- 封装
- TO-220FP-3
- 安装方式
- 通孔安装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 600 V
- 连续漏极电流（Id）
- 3.7 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 2.2 Ω
- 耗散功率（Pd）
- 25 W
- 配置
- Single
- 高度
- 15 mm
- 长度
- 10 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 宽度
- 4.5 mm
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.211644 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。