ROHM Semiconductor
SCT4062KWATL
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV，采用 TO-263-7 封装。
基本资料
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- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- TO-263-7
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
22 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 24 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 62 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 4 V, + 21 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4.8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 64 nC
- 最大工作温度
- + 175 C
- 耗散功率（Pd）
- 93 W
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Single
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- 原产国家或地区
- 日本
- 下降时间
- 10 ns
- 正向跨导（最小值）
- 6.5 S
- 产品
- SiC MOSFETS
- 上升时间
- 11 ns
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 类型
- Power MOSFET
- 典型关断延迟时间
- 22 ns
- 典型导通延迟时间
- 4.4 ns
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。