SemiQ
GCMS010B120S1-E1
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Silicon Carbide (SiC) COPACK Power Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 204 A、漏源导通电阻（Rds On） 14 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- SemiQ
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- GCMS
- 封装
- SOT-227-4
- 安装方式
- Screw Mount
- 包装方式
- 管装
技术参数
21 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 204 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 14 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 5 V, + 20 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 652 W
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 下降时间
- 34 ns
展开更多参数（9 项）
- 高度
- 12.9 mm
- 长度
- 38.1 mm
- 产品
- SiC MOSFET-SiC SBD Modules
- 上升时间
- 16 ns
- 类型
- Silicon Carbide (SiC) COPACK Power Module
- 典型关断延迟时间
- 74 ns
- 典型导通延迟时间
- 35 ns
- 正向电压（Vf）
- 1.56 V
- 宽度
- 25.3 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。