Renesas Electronics
RBE111N10R1SZN2#HB0
主要参数包括技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 11.1 mOhms，采用 uSO8-FL 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Renesas Electronics
- 产品类别
- MOSFETs
- 产品系列
- REXFET-1
- 封装
- uSO8-FL
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 40 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 11.1 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 栅极电荷（Qg）
- 28 nC
- 通道模式
- Enhancement
- 配置
- Hex
- 原产国家或地区
- 日本
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。