Infineon Technologies
IMW65R083M1HXKSA1
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 111 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- SiC MOSFETs
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
技术参数
14 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 650 V
- 连续漏极电流（Id）
- 24 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 111 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 5 V, + 23 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 5.7 V
- 栅极电荷（Qg）
- 19 nC
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 104 W
- 通道模式
- Enhancement
- 原产国家或地区
- AT
展开更多参数（2 项）
- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 型号别名
- IMW65R083M1H SP005423802
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。