Renesas Electronics
TP65H480G4JSG-TR
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 HEMT、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 3.6 A，采用 PQFN-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Renesas Electronics
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 产品系列
- Gen IV SuperGaN
- 封装
- PQFN-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
18 项参数- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 1 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 650 V
- 连续漏极电流（Id）
- 3.6 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 560 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 18 V, + 18 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.8 V
- 栅极电荷（Qg）
- 9 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 13.2 W
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- SuperGaN
展开更多参数（6 项）
- 配置
- Single
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 湿敏性
- 是
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 晶体管类型
- HEMT
- 型号别名
- TP65H480G4JSG
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。