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NXH450B100H4Q2F2PG
主要参数包括技术 Si、产品 SiC IGBT Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1 kV、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、25°C 时连续集电极电流 101 A。
基本资料
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- onsemi
- 产品类别
- IGBT Modules
- 产品系列
- NXH450B100H4Q2
- 包装方式
- 托盘
技术参数
11 项参数- 产品
- SiC IGBT Modules
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1 kV
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.7 V
- 25°C 时连续集电极电流
- 101 A
- 栅射漏电流
- 800 nA
- 耗散功率（Pd）
- 234 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 原产国家或地区
- 中国
- 技术
- Si
- 商品名称
- EliteSiC
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。