IXYS
IXTH360N055T2
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V、连续漏极电流（Id） 360 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.4 mOhms、商品名称 HiPerFET，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
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- IXYS
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- IXTH360N055
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 55 V
- 连续漏极电流（Id）
- 360 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 2.4 mOhms
- 商品名称
- HiPerFET
- 单件重量
- 0.056438 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。