ROHM Semiconductor
SH8J66TB1
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源导通电阻（Rds On） 19 mOhms、最大工作温度 + 150 C，采用 SOP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 封装
- SOP-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- P-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 30 V
- 连续漏极电流（Id）
- 9 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 19 mOhms
- 最大工作温度
- + 150 C
- 耗散功率（Pd）
- 2 W
- 正向跨导（最小值）
- 11 S
- 单件重量
- 0.030018 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。