Toshiba
TK35N65W,S1F
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 35 A，采用 TO-247-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- MOSFET
- 产品系列
- TK35N65W
- 封装
- TO-247-3
- 安装方式
- 通孔安装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
19 项参数- 技术
- Si
- 通道数
- 1 个通道
- 晶体管极性
- N-Channel
- 漏源击穿电压（Vds）
- 650 V
- 连续漏极电流（Id）
- 35 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 68 mOhms
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 3.5 V
- 栅源电压（Vgs）
- 30 V
- 栅极电荷（Qg）
- 100 nC
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 耗散功率（Pd）
- 270 W
- 配置
- Single
展开更多参数（7 项）
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- DTMOSIV
- 高度
- 20.95 mm
- 长度
- 15.94 mm
- 晶体管类型
- 1 N-Channel
- 宽度
- 5.02 mm
- 单件重量
- 1.340411 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。