IXYS
MDI100-12A3
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、25°C 时连续集电极电流 135 A、栅射漏电流 300 nA，采用 Y4-M5-7 封装。
基本资料
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- IXYS
- 产品类别
- IGBT Modules
- 产品系列
- MDI100
- 封装
- Y4-M5-7
- 安装方式
- Chassis Mount
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 产品
- IGBT Silicon Modules
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 1.2 kV
- 25°C 时连续集电极电流
- 135 A
- 栅射漏电流
- 300 nA
- 耗散功率（Pd）
- 560 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 高度
- 30 mm
- 长度
- 94 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 34 mm
- 最大栅射电压
- 20 V
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 6.349313 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。