SemiQ
GCMX080A120B2T1P
主要参数包括通道数 6 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 29 A、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 B2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- SemiQ
- 产品类别
- MOSFET Modules
- 产品系列
- GCMX
- 封装
- B2
- 安装方式
- Press Fit
- 包装方式
- 托盘
技术参数
21 项参数- 技术
- 碳化硅（SiC）
- 晶体管极性
- N-Channel
- 通道数
- 6 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 1.2 kV
- 连续漏极电流（Id）
- 29 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 100 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- - 8 V, + 22 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 4 V
- 工作温度范围
- -40～175 °C
- 耗散功率（Pd）
- 103 W
- 配置
- Hexa
- 原产国家或地区
- 中国台湾
展开更多参数（9 项）
- 下降时间
- 18 ns
- 高度
- 12 mm
- 长度
- 62.8 mm
- 产品
- Modules
- 上升时间
- 4 ns
- 典型关断延迟时间
- 22 ns
- 典型导通延迟时间
- 12 ns
- 正向电压（Vf）
- 4.2 V
- 宽度
- 33.8 mm
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。