EPC
EPC2104
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 2 N-Channel、类型 Half-Bridge、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 30 A，采用 Die 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- EPC
- 产品类别
- 氮化镓场效应晶体管
- 封装
- Die
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
15 项参数- 通道数
- 2 个通道
- 漏源击穿电压（Vds）
- 100 V
- 连续漏极电流（Id）
- 30 A
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 6.8 mOhms
- 栅源电压（Vgs）
- 6 V, - 4 V
- 栅源阈值电压（Vgs th）
- 2.5 V
- 栅极电荷（Qg）
- 6.8 nC, 6.8 nC
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 通道模式
- Enhancement
- 商品名称
- eGaN FET
- 产品
- Power Transistor
- 技术
- 氮化镓（GaN）
展开更多参数（3 项）
- 晶体管类型
- 2 N-Channel
- 类型
- Half-Bridge
- 单件重量
- 0.000811 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。