Toshiba
HN1B04FU-GR,LXHF
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V, 60 V，采用 US-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- US-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 小卷盘
技术参数
15 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V, 60 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 100 mV
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
- 增益带宽积（fT）
- 120 MHz, 150 MHz
- 认证等级
- AEC-Q200
- 连续集电极电流
- 150 mA
- 原产国家或地区
- TH
展开更多参数（3 项）
- 最小直流电流增益（hfe）
- 120 at 2 mA, 6 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 400 at 2 mA, 6 V
- 型号别名
- HN1B04FU-GR,LXHF(B
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。